广东半导体高度怎么测量？ 半导体点温计测量范围
半导体杂质高度补偿怎样检验？
你这个问题提得很好。
因为高度补偿半导体的有效载流子浓度很低，类似于本征半导体，所以采用常规的三探针技术、四探针技术等测量电阻的方法是无效的，就是采用电容-电压技术等也都不能很好检测出来。因此，只有采用光吸收等光学技术才有可能检测出杂质。
如何测量半导体的功函数
关于功函数的测量方法：
功函数的测量方法分为“绝对测量”和“相对测量”两大类：
1）绝对测量法是测量电磁场的垂直分量和水平分量的振幅值和它们相对于—次场相位移的方法。试验中是利用样品由光吸收(光发射)所引发的电子发射，通过高温(热发射)、或者电场(场发射)，以及使用电子隧穿效应进行测量获得的光谱（PES），从而提供提供反应了样品电子结的功函数等信息。下图是一个铜表面频谱分析示意图：
如图所示，费米能级位于横坐标轴0V位置，而功函数是21.21eV与secondary cutoff 之差，即21.21eV- 15.9Ev=5.3eV
对于光谱测量来说，分为基于
2）相对测量是指激发场源是定源的条件下，测最沿侧线相邻两点的振幅比和相位差的方法。实验上，是使用二极管的阴极电流或者样品与参照物的间由人工改变的两者间电容导致的位移电流（开尔文测量方法）等方法来测量的。
测量原理：
UR为负值，样品相对于阴极为负。S与C间存在一减速场（又称阻挡势），使电子不能达到样品，因而二极管的电流为零。只有当UR变化到 eUR≧Φs－Φc
则样品上可收集到阴极热电子发射的电流，因而得到二极管的伏－安特性曲线。吸附时，拐点位置由（Φs－Φc）/e移到（Φs－ DΦs－Φc）/e即拐点移动的电位变化相应于样品的功函数变化 。
半导体能隙怎么测量
有多种方法。例如测量本征光吸收限——本征激发的最长波长。又如测量本征载流子浓度与温度的关系，在半对数坐标上，该关系是一条直线，由该直线的斜率即可得到禁带宽度。
测量较高物体高度所用方法
量他们的影子 在同一时间 量一个小木棍的影子和高度
物体的影子/小木棍的影子=物体的高度/小木棍的高度 算出来就行了