可控硅保护电容电阻选择 可控硅保护电路

电容的选择: C=(2.5-5)*10的负8次方*If If=0.367Id Id-直流电流值 如果整流侧采用500A的晶闸管 可以计算C=(2.5-5)*10的负8次方*500=1.25-2.5μF 选用2.5μF,1kv 的电容器 电阻的选择: R=((2-4) *535)/If=2.14-8.56 选择10欧

V2不是可控硅,普通NPN三极管而已.这个电路过流保护原理是 负载电流增大,R5分压增大,V2基极电压增大,导致V2导通,拉低ADJ电压,从而让LM317T处于休眠或.

可控硅需要一个控制信号来实现通断,一般通过的电流都较大,为防止被控制部分损坏,一般要加一个电容,接通和断开的瞬间电压电流变化较大,会影响被控制部分正常工作加一个电容把瞬间的高压滤掉,电容的另一端一般是接地的.电阻一个作用是限流,另一个是实现一定的压降,可控硅出来的电压一般会高于被控制部分的工作电压.

最好不要短路放电,窜个阻值小一点,功率大一点的电阻或用电器,可控硅就可以选择电流小一点的了,可计算一下电流=450/R,可控硅选择>450/R的2倍,就可以了.

接通电磁阀线圈(一般小于10W)可用BT136可控硅,光耦触发电阻选330欧姆,保护电阻100欧姆,保护电容选0.1u~0.022/1000v,CBB21,这种小负载也可不用保护电阻,电容.

根据被保护电源电压选择压敏电阻器的规定电流下的电压V1mA.一般选择原则为:对于直流回路:V1mA≥2.0VDC对于交流回路:V1mA≥2.2V有效值特别指出对于压敏电阻压敏电压的选择标准是要高于供电电压,在能够满足可以保护需要保护器件的的同时,尽可能选择压敏电压高的压敏电阻,这样不仅可以保护器件,也能提高压敏电阻的使用寿命.

你可以参考一下:可控硅 晶闸管阻容电路如何选择?http://www.dianlu59/thread-4059-1-1.html

阻容吸收电路,作用是减小可控硅两端电压的变化率,防止误导通. 可控硅从断开转换导通的最大阳极电压上升率称为断态电压临界上升率du/dt.如果可控硅两端电压的变化率太大,就会产生误导通. 原理:可控硅的结面积在阻断状态下相当于一个电容,若突然加一正向阳极电压, 便会有一个充电电流流过结面,该充电电流流经靠近阴极的PN结时,产生相当于触发电流的作用,如果这个电流过大,将会使元件误触发导通.

你好!5W至10W/50欧 0.22μF ,2000VAC 用在380V系统上的可控硅阻尼吸收希望对你有所帮助,望采纳.

上面有数值呀,电容是0.1微法,电阻是100欧姆的.按数值选取即可.