大功率mos管开关电路,电路大神看过来，请问如何使用MOS管，搭建高压差高频率开关电路？

楼主可以选用Rds较小的低压MOSFET,比如几十个毫欧甚至几个毫欧左右的.很简单的,MOSFET本身就是一个开关MP3电流应该是几百个毫安吧,一般的MOSFET都能应付.

MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态.由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态.MOS管在导通与截止两种状态发生转.

普通MOS管不能做频率多高的高频放大电路,除非一些HEXMOS可以做一些短波段的,最好去选VDMOS或者LDMOS之类的管子,但是高频管子都比较昂贵哦.一般高频管子的datasheet都有参考电路去看.

大功率mos管开关电路

楼主可以选用Rds较小的低压MOSFET,比如几十个毫欧甚至几个毫欧左右的.很简单的,MOSFET本身就是一个开关MP3电流应该是几百个毫安吧,一般的MOSFET都能应付.

MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态.由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态.MOS管在导通与截止两种状态发生转.

MOS管,三极管属于两种不同类型管子, 它们的区别在于,MOS管是单极性管子而三极管属于双极性管子,这个单极性和双极性的意思是来自于半导体内部载流子类型而.

mos管经典开关电路

■mos管开关电路中要用到mos场效应管来代替开关,场效应管有三个极:源极s、漏极 d和栅极(或叫控制极)g.工作原理是:在给源极和漏极 之间加上正确极性和大小的电压(因为管型而异)后,再给g极和源极之间加上控制电压,就会有相应大小的电流从源极流向漏极 ,如果信号电压够大,这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了.

你的要求能不能改下,全部用Nmos?因为Pmos价格比较高,而且型号少.三极管集电极串个电阻,然后从电阻下方引出一条线到Nmos的栅极,电阻多大都可以.只要栅极电压乘以跨度满足远远大于漏极或源极电流即可.Pmos.必须用负电压控制,否则无法工作,所以建议换掉

太简单了.我给你个电路吧.AOD448是30V 75A的管子,这个是4.5V驱动的,偏高了点.可以用AOD442,AO3416等管子,2.5V就能驱动.2.5V时,只有26豪欧.电流两三A没问题.

简单mos管开关实物图

你需要一个可以生成pwm的电路,通过脉宽调制可以达到你的要求

错了这么接

从图标出VBAT、VBAT OUT看,你的整个电路都错了:1、P型场效应管应从S极输入、D极输出,你把输入和输出弄反了.2、那个R23,应接在S、G之间,而不是接在G、D之间.R23是泄放电阻,当控制信后从0到1时,迅速将加在G极的负压释放,保证有效关断.就算你标错那个OUT,在S极输入、D极输出,你哪个R23就会使管子导通.除非EN FANG有个正压输入加到G极上,否则电路就不会关闭.

n沟道mos管开关电路图

你看看这个图.http://image.baidu/i?ct=503316480&z=0&tn=baiduimagedetail&word=p%B9%B5%B5%C0&in=11380&cl=2&cm=1&sc=0&lm=-1&pn=29&rn=1&di=2751762856&ln=99 左边是N沟道,右边是P沟道.

太简单了.我给你个电路吧.AOD448是30V 75A的管子,这个是4.5V驱动的,偏高了点.可以用AOD442,AO3416等管子,2.5V就能驱动.2.5V时,只有26豪欧.电流两三A没问题.

■mos管开关电路中要用到mos场效应管来代替开关,场效应管有三个极:源极s、漏极 d和栅极(或叫控制极)g.工作原理是:在给源极和漏极 之间加上正确极性和大小的电压(因为管型而异)后,再给g极和源极之间加上控制电压,就会有相应大小的电流从源极流向漏极 ,如果信号电压够大,这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了.

mos管

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管.或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体.mos管就是用低电压控制导通.mos管有三个极,栅极,漏极,源极,可以用一个极控制其他2个极的导通.主要是控制.类似于三极管

结型场效应管(jfet),是通过栅与源漏之间形成的pn结来控制实现晶体管源漏之间. 与jfet不同,mos管虽然也是通过栅压实现对漏电流的控制,但是它的原理是在栅下方.

MOS管的作用 MOS管为压控元件,你只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降最小.这就是常说的精典是开关作.