GS导通4.5V，为何GS要达到12V以上，Rdson最小？

求助 低压mosfet RDSON 测试问题

首先需要确定最基本的参数,即最大耐压值,和能忍受的最大电流值,然后根据你设计的电路,来选择型号,另一方面MOSFET就需要注意Rdson,因为这个值直接影响到它的开关损耗,继而影响到温度,再影响到耐压值,所以选的Rdson要小.Rdson即导通时的电阻值.

运算放大电路的最大输出幅度能否达到12v,为什么

放大电路(包括运放)的输出电压和电流都是由电源提供的,其输出端的双极晶体管BJT(或场效应管FET)饱和导通时能够提供最大输出电压,而管子导通时存在一定的压降(BJT的饱和压降或FET的导通电阻),因此放大电路的输出电压范围是受限于电源电压的.即便是所谓的“轨至轨(rail to rail)”输出型的运放,其输出电压最大值也只是很接近但仍是小于电源电压的.要求运放输出电压幅度达12V(注意是大写!),运放的电源电压一定要高于12V(所选运放的电源电压范围允许采用).运放的数据表中有最大电源电压、最大输出电压、最小输出电压等参数指标.

p沟道增强型MOS 管在gs达到开启电压,电流是从D到S,还是从S.

P沟道mos管导通时,S极的电压是要高于D极的电压的,所以电流是从S极流向D极

为什么这样接N型场效应管不能导通

你的R3接的方法,有错误,R3要接到VCC电源端,这个mos管是个开关管,假设开关管的gs有1/2的vcc,导致开关管的ds之间导通,即就是:UD=US,这样的话,US=12v,Ug=6v,这个n沟道的mos管,会自动的关闭,所以需要把R3挪到mos管的d级那边,mos管打开和关闭就很容易了,给分把.

MOS管选择时耐压怎么看? 比如说电脑主板输入12V,为什么选.

选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定,并根据经验留出足够的电压余量.理论上,电压越高,MOS越安全,可靠性也越高.但是,同等内阻下,电压越高,成本越高,栅极电容越大,速度也越慢.这就限制了电压不能无限制抬高.这是相互矛盾的情况,根据经验,一般会留出1.2~1.5倍的电压余量.但是具体是由你的应用电路、客户需求以及产品的可靠性要求决定.

MOS管开关状态工作在哪个区?为什么VGS>4V只是开启条件,.

首先 我们看你给的mos管 vds和 id的关系图 .饱和区电流基本不随ugs变化而变化的,也就是图中那个叠在一起的部分.(而恒流区是ugs不变,id不随uds的变化而变化的.区别一下)要想让mos管工作在饱和状态,那么你先要给定一个 vds ,这个肯定是已知的 就是你的供电电压 vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后,交点才在mos管的可变电阻区(饱和区) 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通.4v是开启电压 望采纳啊

有什么型号的二极管他的导通电压大于0.7v,在0.8v左右的

其实除了稳压二极管以外,其他任何二极管的导通电压都不是确定不变的,是随着导通电流而变化的.当电流增大时,二极管的正向压降也随之增大.用普通的整流管1N4001就可以,从它的伏安特性曲线可以看出,在常温下,导通电流达到0.1A时,它的正向压降已经达到0.8V左右了,如果是两只1N4001串联,在几十mA时压降就在1.5V左右.

电工知识:晶闸管导通的条件是( ).谢谢!

晶闸管导通的条件是阳极承受正向电压,处于阻断状态的晶闸管,只有在门极加正向触发电压,才能使其导通.门极所加正向触发脉冲的最小宽度,应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流,即擎住电流IL以上.

整流电路中为什么要分正,负半周

因为负半周期线圈切割磁感线产生的电流方向变了,所以波形相反,主要是指电流方向反向.而实际中,一般通过整流电路把负半周期整流成正向,以达到使用要求.

晶闸管的导通条件是什么?

门极所加正向触发脉冲的最小宽度,应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流,即擎住电流IL以上.导通后的晶闸管管压降很小. 使导通了的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至一个小的数值,即维持电流IH一下. 其方法有二: 1、减小正向阳极电压至一个数值一下,或加反向阳极电压. 2、增加负载回路中的电阻.