模电（BJT复合管）？

模电题目,场效应管组成复合管问题,求大神解答,谢谢~

(b)图中左、右侧分别是BJT(双极结型晶体管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管),它们分别属于电流控制电流器件和电压控制电流器件,BJT工作是由基极电流Ib控制集电极电流Ic.图中BJT的发射极与MOSFET的栅极连接,Ib没有通路(即Ib=0),所以不能构成复合管;(e)图中两只JFET(结型场效应管)左管的源极与右管的栅极相接连接,左管的漏极电流Id1没有通路因而不能工作.

模电中的复合管,在复合管的应用中一般他都能增大放大倍数,但是不

要注意穿透电流,这个同时也被放大,太大了会烧坏管子.这个要加泄放电阻.还有就是温漂了,注意误差

模电题跪求解答复合管如何判断类型c,d两题

先看前后两级的电流方向是否一致,一致则构成复合管,然后一个输入两个输出的为PNP型,两个输入一个输出的是NPN型.

模电求救,复合管判断,为什么图d不能构成复合管?

三极管工作在放大阶段的条件是,npn:集电极电压大于基极大于发射极.pnp,集电极电压小于基极小于发射极.并且他们基极满足触发条件.这幅图两部分都是pnp,假设右边那个能导通,那么发射极大于基极大于集电极.而右边的发射极电压是左边的集电极,右边的基极电压是左边的发射极,如果右边真的导通了,左边的晶体管不是集电极电压大于发射极了吗?所以假设不成立,这个管子永远不会导通的.

模电中复合管得β怎么求

复合管的电流放大系数近似为组成该复合管各晶体管贝塔值的乘积.望采纳下

模电,某硅BJT各电极电压值如下,判别管子工作在什么区域?

判断三极管,可以看压降值.b级对e级的的压降值,锗管是0.7V,硅管是0.3V 放大区:Vc>Vb>Ve 饱和区:集电结和发射结均正偏 截止区:集电结和发射结均反偏

大学模电BJT放大电路里的问题.请问Icm和Vcem是什么含义??跪求

集电极最大电流值和射集(发射极-集电极)电压最大值

模电:已知BJT的三极电压:①Ua=3.5v Ub=2.8v Uc=12v;②Ua=6v Ub.

你好!(1):两个电压相减出现0.7v证明是硅管,a可知是基极,b是发射极,c自然是集电极了.电压c最高,所以是npn型(2)两个电压相减出现0.3v证明是锗管,b可知是基极,c是发射极,a自然是集电极了.电压c最高且是发射极,所以是pnp型.如果对你有帮助,望采纳.

电路中复合管的要求

1.够成复合管 ,第一个放大的条件已经满足 ,关键在于满足第二个管的放大条件:发射极正偏,集电极反偏! 2.阻容耦合不适应变化缓慢的信号,直接耦合既能有变化较大的交流信号,又能放大缓慢变化的信号和直流信号,这种方式在VT2的发射级用一个稳压管代替Ve2,这样可以保证VT2放大倍数! 3.抵制零点漂移(产生的主要原因是放大元件随温度的变化而变化),方法 1可以使用分压式静态工作稳定电路,2可以使用热敏元件

大学模电BJT管的偏向问题怎么判断?导通、截止,饱和区、放大区

三极管有什么导通不导通的,只是三个区时各个极的工作状态不一样而已饱和区就是集电极c和发射极e电位都比b极低,两个极都正向偏置,这时候Uce比Ube小,也就是Ube-Uce大于0就是b极电位比c大,这个时候类似mos管的变阻区放大区就是正常工作状态,c>b(不写U了),ic由ib控制,可以等效成一个受控电流源截止区就是b口无电流,也就是b的电压最小,b评论0 00