能详细说一下9纳米7纳米芯片是什么吗？高通7纳米芯片有哪些

7纳米的处理器是什么概念

1纳米=10的负9次方米，长度单位如同厘米、分米和米一样，是长度的度量单位。是指芯片上晶体管和晶体管之间导线连线的宽度，简称线宽。

1、简单来说的XX nm指的是CPU的上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度，也被称为栅长。

2、详细解释如下，电流从Source(源极)流入Drain(漏级)，Gate(栅极)相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断。电流会损耗，而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗，表现出来就是手机常见的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。而栅极的最小宽度(栅长)，就是XX nm工艺中的数值。

3、芯片市场上，一款芯片制程工艺的具体数值是手机性能关键的指标。制程工艺的每一次提升，带来的都是性能的增强和功耗的降低，而每一款旗舰手机的发布，常常与芯片性能的突破离不开关系。

骁龙835用上了更先进的10nm制程，在集成了超过30亿个晶体管的情况下，体积比骁龙820还要小了35%，整体功耗降低了40%，性能却大涨27%。

4、得益于摩尔定律的预测，走到今天，比拇指还小的芯片里集成了上亿个晶体管。苹果A10 Fusion芯片上，用的是台积电16nm的制造工艺，集成了大约33亿个晶体管。

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10nm芯片制程难度

对于芯片制造商而言，主要就要不断升级技术，力求栅极宽度越窄越好。不过当宽度逼近20nm时，栅极对电流控制能力急剧下降，会出现“电流泄露”问题。为了在CPU上集成更多的晶体管，二氧化硅绝缘层会变得更薄，容易导致电流泄漏。

一方面，电流泄露将直接增加芯片的功耗，为晶体管带来额外的发热量;另一方面，电流泄露导致电路错误，信号模糊。为了解决信号模糊问题，芯片又不得不提高核心电压，功耗增加，陷入死循环。

因而，漏电率如果不能降低，CPU整体性能和功耗控制将十分不理想。这段时间台积电产能跟不上很大原因就是用上更高制程时遭遇了漏电问题。

还有一个难题，同样是目前10nm工艺芯片在量产遇到的。

当晶体管的尺寸缩小到一定程度(业内认为小于10nm)时会产生量子效应，这时晶体管的特性将很难控制，芯片的生产难度就会成倍增长。骁龙835出货时间推迟，X30遥遥无期主要原因可能是要攻克良品率的难关。

参考资料搜狗百科-FinFET

手机集成电路芯片已达7纳米工艺是，手机集成电路芯片内部连接导线的宽度已达7纳米工艺，导线细，体积小，集成程度高。

纳米是长度的单位之一

纳米和国际单位制中的长度单位米的换算关系

1米=1x10^9nm

7nm=7x10^-9m