问题一：2中温度升高，漂移运动加强，为什么不是pn结变宽，所需电压变大？问题二:3如何理解

• 漂移使PN结变薄，但反偏时，PN结电场加强，漂移运动加强，而PN结变厚？？？
• 请问 那个PN结反向偏置时 为什么会变宽?谢谢!
• PN结在热激发下如何变化(主要是宽度变化）
• PN结两侧的内建电位差为什么温度升高会减小

漂移使PN结变薄，但反偏时，PN结电场加强，漂移运动加强，而PN结变厚？？？

形成PN结的过程中，因多子扩散而形成内电场 ，同时加大的内电场加强了少子的漂移， 它与扩散运动相反，使空间电荷区变窄， 直到漂移运动与扩散运动相当时， PN结动态稳定下来。

当外加反偏时， 内外电场力方向相同， 在外电场作用下，多子背离PN结运动，空间电荷区变宽 ，加厚了PN结 ，加强了少子的漂移运动 流过一个很小的反向电流。

请问 那个PN结反向偏置时 为什么会变宽?谢谢!

正偏时，电源正极结P区，负极结N区。内建电场是由N区指向由P区，与电源产生的电场方向相反，势磊减小，PN结平衡时漂移与扩散产生的电流相等，而此时平衡被破坏，漂移减弱，扩散增强。“补充：漂移运动是P区少数载流子(电子）和N区少数载流子（空穴）的运动。”更多的空穴扩过空间电荷区，与空间电荷区不可移动的负离子中和，同理N区也如此，因此空间电荷区不断变窄，内建电场不断减小，从而构成了流过PN结的正向电流。

接上：同理N区也如此，因此空间电荷区不断变窄，内建电场不断减小，从而构成了流过PN结的正向电流。

反偏时：势磊增大，漂移增强，P区中空穴远离空间电荷区运动，留下不可移动的负离子，PN结宽度增大，漂移电流大于扩散电流，此时产生反向电流，但是电流非常小。当电压到0.几伏时，电流不再变大，此时电流叫做反向饱和电流。

这个问题在别人那，我回答过，所以我照搬了，嘿嘿

PN结在热激发下如何变化(主要是宽度变化）

对于N型半导体，自由电子是多数载流子（多子）——杂质原子提供，空穴是少数载流子（少子）——热激发形成；而P型半导体，空穴是多子——掺杂形成，自由电子是少子——热激发形成。多子的数量与掺杂浓度有关，高掺杂则多子数量多。P型半导体和N型半导体中间的空间电荷区就是PN结，因为其缺少多子又称耗尽层。高掺杂时耗尽层两端的浓度差大，多子的扩散运动剧烈，空间电荷区理论上加宽，但是空间电荷区产生的内电场导致少子的漂移运动也剧烈，空间电荷区又要变薄，最终要达到动态平衡，所以相比低掺杂时达到动态平衡所需时间更短，载流子运动距离短，电子和空穴很快就复合了，耗尽层也就窄了。

“齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电场”，前面已经说过高掺杂，耗尽层宽度（d）小，将其看成平行板电容器，内电场E=U/d，所以E很强，直接打断共价键。

第二问：齐纳击穿，掺杂浓度高，内电场强，利用这一性质做成了稳压管；

雪崩击穿，掺杂浓度低，碰撞电离，就像滚雪球的倍增效应，利用这一性质做成了整流二极管。两者都属于电击穿，一定条件下是可逆的。

PN结两侧的内建电位差为什么温度升高会减小

温度高，分子电子无规则运动快，内电阻增大，输出电压小