为什么PN结的内电场方向由N区指向P区？

PN结内电场为什么是从N指向P区?

由于P内的空穴与N内的自由电子复合,只剩下不动子,(P内的不动子带负电,N内的带正电)如此,自然是由N指向P了.

关于PN结的说法,书上说N为负电P为正电为何内电场是由N区流向P区

N型半导体中的电子被渗透过来的空穴复合,是原本呈现中性的材料在PN结的N区结合部形成了局部带正电的区域,同理,P区由于电子的扩散而局部带负电,因此内部形成了N指向P区的内电场

pn结内产生电场 电场方向从n指向p 对于p区来说多子空穴向n扩散,和

p是positive的缩写,而n是negetive的缩写,显然正电荷才叫positive charge,负电荷叫negetive charge,所以p的空穴本身是带正电的,n是带负电的,里面没有带正电的电子.p 型半导体中有许多可移动的带正电荷的空穴和固定的带负电荷的电离杂质.n 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当两者相结合时,空穴向n处移动,负电子向p移动.这样才形成了一个空间电荷区,n处为正电荷,p处为负电荷,电场方向是从n到p,这个时候已经达到了静电平衡,而不是你所说的初始状态.不懂可以继续追问.

pn结内产生电场 电场方向从n指向p 书上说在这个pn结产生的电厂内会

逆理解错了,空穴可以看做带正电,而电子是带负电的. 你正好理解反了.空穴是电子移动后留下的空位,电子肯定是带负电 的, 负电的走了,就相当于带正电了.所以 内电场方向是从n到p 在n端的负电子会逆着电场线方向运动 ,与书上说的相同

二极管中,当接反向电压时,为什么在PN结的交界处,P区的电子无法

不是＂P区的电子无法到达N区＂,是数量非常小,可以忽略不计,宏观表现的＂无法通过＂.在静态时,由于PN结的扩散作用产生了PN结,在PN结上,P区剩下了电子,而N区剩下了空穴,当接入反向电压时,使PN结增厚,两个区的载流子都无法通过,但是PN结的少子产生的内建电场会使少数电子从P区扩散到N区的,形成反向漏电流.再看看别人怎么说的.再看看别人怎么说的.

为什么半导体中PN结的P区是负离子,N区的是正离子

在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少. 它们扩散的结果就使P区一边失去空穴,留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子.

PN结的内电场方向是啥

结处有个空间电荷区,n侧带正电由空穴形成,p侧带负电由电子形成,由此形成一个内建场 百度里挺详细的

概念不清,半导体二极管PN结的内电场为什么不会延伸到P区和N区?

电场是有源无旋场,电场与电场线当然可以中断!!这是电场与磁场在宏观上最主要的区别.pn结的形成过程中,交界面载流子的相互扩散形成空间电荷区(耗尽层),可以把耗尽层的两个断面想象成两块带电的金属板(即结电容的模型),它最终能保证耗尽层内的漂移电流等于扩散电流,同样,这两块带电板在耗尽层外的p区和n区产生的电场能相互抵消!所以我们说p区与n区没有电场存在.从能量角度来描述pn结的形成就是:p型、n型半导体中费米能级在禁带中的位置有差异,而平衡系统的费米能级必定处处相等,所以在pn结平衡的过程中,两端的禁带相互错开形成一定高度的势垒(内建电场),直至费米能级相等.

半导体的PN结中为什么P区的是负离子,N区的是正离子??

耗尽层就是在pn结附近,其中的载流子因扩散而耗尽,只留下不能移动的正负离子的区域,又称空间电荷区.在p型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.

二极管PN结的内电场方向是怎样的,为什么.

二极管就是个PN结,自建电场方向从N指向P,也就是从负极指向正极