饱和电流决定什么 饱和电流和频率有关吗

当光强一定时,饱和电流数值和频率的关系 说法一:频率越大,饱和光电流数值越小.原因:光强一定,频率大的光单位时间单位面积光子数较少,故出来的光电子数较少.说法二:频率不同的光照射,饱和光电流规律比较复杂.频率高的光子能把金属表面深一些的电子激发出来,频率低的光子则不能.另一方面,频率高时,每秒钟到达金属表面的光子数将减小.因此,入射光强度一定、频率变化时的情况比较复杂,一般要针对具体情况具体分析解决.因此中学教材上面都只说频率相同的光,饱和光电流和光强成正比.

电感由两部分组成,磁芯和线,那么我们电感地饱和电流也就由这两部分决定,首先看是什么样地磁芯,磁芯材质是怎么样地,铁粉芯、镍锌或者锰锌材质,不一样材质有不一样地性能,还有和磁芯地结构也有关系,工字型地磁芯主要取决于中间柱子地直径大小,还有磁环地电感.另外线地大小对饱和电流影响也比较大,比如线细地饱和电流肯定不高,因为细线很难承受大电流地,同样地电感感值,选择粗线,饱和电流会很大地,这主要针对插脚式电感,贴片电感地饱和电流又不一样了,不需要绕线的耐电流较大一点,以上纯手打,有不足可以继续提问,谢谢.

晶体管的沟道夹断以后,漏极电流即达到饱和.在漏极电流方程中的源-漏电压等于饱和电压时,即给出饱和漏极电流;由此可得知,饱和漏极电流主要决定于沟道的宽长比(越大越好)、沟道掺杂浓度(越大越好)和沟道电子迁移率(越大越好).在特定工艺下,沟道掺杂浓度和迁移率已被确定,则能够调节的因素则只有沟道宽长比.

饱和光电流的大小与入射光强度、频率都有关:1、当入射光频率不变时,饱和光电流的值与入射光强度成正比.原因很简单,入射光强度与单位时间照射到金属上的光子.

因为从金属板上由于光电效应逃脱的电子数目与电压无关,即使电子在到达极板前速度由于场强的原因变快了,这部分动能在到达极板后也对电流大小没有影响,而是逸散了.电流只是取决于单位时间内通过导体横截面的的数量决定,而逃逸电子数又与电压无关,所以电压增大到一个极限后便出现饱和电流.而增大被照射金属的表面积会增大单位时间内逸出的电子数目,所以会增大电流.其实电压的作用就是为了产生一个外加电场来捕获逃逸电子,电场越强电子就越难以逃离电场,也就越容易被另一块极板接到,可是发出的电子是有限的,所以当电压增大到足以捕捉所有电子时,再增大电压当然不会增大电流,这就是所谓的饱和电流.

强度不变,总能量不变,增大频率,单个光子能量增大,总能量不变的前提下,单位时间提供的光子数目减少,单位时间能激发的总电子数目减少,总电子个数减少,饱和电流减少!

频率(或者波长)

加强正向电压确实能增加电子们的速度,但根据电流的定义“单位时间内通过导体截面的电荷量”可知,电流的大小在单位时间内通过导体截面的电荷量一定时,是不会因为电子的速度增加而变化的,而单位时间内打到阳极的电子数量,在正向电压饱和时,就是阴极的金属在单位时间内从表面飞出的电子数量,和光的强度有关,而与电子的速度无关高中时我对这的简单理解是速度的上限是光速,电压再增大速度达到上限时间就不变了,电流就饱和了.答题不易,望采纳

ib=(v-vceo)/rl/hfe.其中vceo为三极管饱和压降,rl为ic通路电阻总和.

您好, 饱和电流:只要光的频率超过某一极限频率,受光照射的金属表面立即就会逸出光电子,发生光电效应.当在金属外面加一个闭合电路,加上正向电源,这些逸出.