电路分析，双极晶体管的开关特性，有图求解答

三极管的开关特性有哪些?

LC震荡,RC震荡,是因为L的感抗,与C的容抗,使得电路不断的充电放电,从而形成震荡信号. 至于,开关特性,是因为,三极管工作在,饱和区域截至区.这是在数字电路上的应用.不过在模电上,一般是三极管工作在,截至区和放大区.当然三极管还可反向应用. 三极管工作在饱和区,发射结正偏, 集电结正偏. 三极管工作在放大,发射结正偏, 集电结反偏. 三极管工作在截至区,发射结反偏, 集电结反偏. 三极管反向应用时,发射结反偏, 集电结正偏. 这是他们的电平关系.

请介绍一下绝缘栅双极型晶体管的特性及其用途?

IGBT是全控型功率半导体器件,它是由MOSFET场效应管与GTR大功率达林顿晶体管结合,并有前者担任驱动,因此具有:驱动功率小,通态压降低,开关速度快等优点.

pnp三极管做开关电路时的具体分析,有图,在线等

要在开关状态下,必需输入5V以上为高电平.PNP三极管截止,此时为关状态,指示灯灭.输入4V一下为低电平,PNP三极管饱和导通,此时为开状态,指示灯亮.PNP型三极管发射极电位最高,集电极电位最低,UBE<0.扩展资料 PNP型三极管 三极管导通时IE=(放大倍数+1)*IB和ICB没有关系,ICB=0 ICB>0时,可能三极管就有问题,所以三极管在正常工作时,不管是工作在放大区还是饱和区ICB=0.当UEB>0.7V(硅)(锗0.2V),RC/RB<放大倍数时,三极管工作在饱和区,反之就工作在放大区.参考资料:搜狗百科-PNP型三极管

晶体管开关特性与频率特特性对晶体管有哪些共同要求?

..晶体管有多种类型,有场效应管和双极型晶体管及IGBT管种.其中双极型三极管,又分线性放大和脉冲开关类型. 如果是问开关三极管,因其工作状态在开关状态,开关特性与频率特性要求,自然是管子特征频率参数越高,开关速度越快了.当然特征频率参数低的管子,工作在高速电路中,其输出的脉冲波型前沿与后沿会严重失真,影响电路性能,导致出现严重的电路故障,达不到电路设计要求目标.

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当GPRS低时,三极管发射结正偏,集电结反偏,工作在放大区,相当于集电结和发射结连通,这样,5.0V就和三极管的下面的电阻R10连通,电流流过LED发亮,当GPRS高时,发射结反偏,集电结反偏,工作在截至区,发射结和集电结之间几乎没有电流,相当于5.0V和R10断开,led等无法点亮.就是基极高电平时,N管一般为关,低电平时,N管开

怎样解决三极管的开关特性?

这是一个三极管的静态工作点的设置问题.如果你想获得三极管的开关特性,就设置让它工作在过饱和状态,输出可靠地关断和打开.如果你想杜绝三极管的开关特性,就设置让它工作在放大状态,输出可靠地随信号变化.

晶体二极管的开关特性有那些?各有什么特点?

二极管的稳态开关特性:电路处于相对稳定的状态下晶体管所呈现的开关特性称为稳态开关特性.晶体二极管当作开关使用时,在理想情况下,当二极管外加正向电压时,二极管导通,如同开关闭合,电路中有电流通过;当二极管外加反向电压时,二极管截止,如同开关断开,电路中没有电流通过.二极管的瞬态开关特性.电路处于瞬变状态下晶体管年呈现的开关特性称为瞬态开关特性.具体地说,就是二极管由导通到截止,或者由截止到导通的瞬态特性.

绝缘栅双极晶体管有哪些特点

绝缘栅双极型晶体管IGBT是一种由单极型的MOS和双极型晶体管复合而成的器件.它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件.其具有如下特点:1、输入阻抗高,驱动功率小.2、开关速度快.3、驱动电路简单.4、工作频率高.5、导通压降较低、功耗较小.6、能承受高电压大电流.7、热稳定性好.IGBT是一种很有发展前途的新型电力半导体器件.在中、小容量电力电子应用方面有取代其他全控型电力半导体器件的趋势.

求MOS管和双极型晶体管的内部结构图?并指出每个部分是由什么材.

MOSFET 的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor 场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场.

电路如下图所示,晶体管导通时Ure=0.7v,β=100,分析Vbb=0,1,2V三种.

Vbb=0V时,三极管截止,Uo=12V;Vbb=1V时,Ib=(1-0.7)/5k=60uA,Ic=100*Ib=6mA,Uo=12V-IcRC=12-1kΩ*6mA=6V;Vbb=2V时,Ib=(2-0.7)/5k=260uA,三极管饱和时Ic=12/1k==12mA,需要的Ib饱和电流为12mA、100=120uA,而此时Ib大于饱和电流,故三极管饱和,Uo=0.1V.如有帮助请采纳,或点击右上角的满意,谢谢!!