晶体管特征频率公式 具有放大作用的mosfet

现在哥哥们对相关于晶体管特征频率公式真相简直清晰明了(现场)，哥哥们都需要了解一下晶体管特征频率公式，那么小艾也在网络上收集了一些对相关于具有放大作用的mosfet的一些信息来分享给哥哥们，原因曝光令人直呼神奇，希望能给哥哥们一些参考。

β为交流电流放大倍数,fβ为共发射极截止频率.β=β0/sqrt[1+(f/fβ)^2].当f>>fβ时,fT=β0*fβ.所以fβ=250MHz/100=2.5MHz.当f=50MHz时,β=100/sqrt[1+(50/2.5.

不科学.只是负载电阻减小相对RC值减小频率特性可上移.

场效应管(JFET、MESFET、HEMT)的特征频率ft是指共源、输出端短路、电流放大系数为1(即输入电流=输出电流) 时的频率,也称为共源组态的增益-带宽乘积;它主要由栅极电容Cg来决定.由简化的.

F=0.7/RB*C RB为基极到电源的电阻,C为甲管基极与乙管集电极间的电阻. (通常电路是对称的)

这也算是问题?找手册表格中“fT”那一行的数据,就是特征频率.

在给定的发射中用于识别和测量频率,例如载波频率可被指定为特征频率. 对于元器件而言,特征频率是指其主要功能下降到不好使用时的一种截止频率.例如,对于用作为放大的有源器件——双极型晶体管以及场效应晶体管而言,特征频率就是指其电流放大系数下降到1时的频率,这是共发射极组态作为放大使用的截止频率.对于用作为检波、开关等的无源二极管而言,其特征频率就是指其阻抗下降到很小、不能吸收信号功率时的频率,.

一句话 ＂特征频率是指其主要功能下降到不好使用时的一种截止频率＂, 即交流电流放大系数为1时的频率.

晶体管的功率增益为1时的工作频率是最高振荡频率fm. 共发射极电流放大系数β为1时的工作频率是fT——特征频率.

三极管的特征频率fT也称作增益带宽积,即fT=βfo,也就是说,如果已知 当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数,就可算出特征频率fT.随着工作频率的升高,放大倍数会下降.fT也可以定义为β=1时的频率.我们测试30Mhz时的β值,两个的乘积就是fT了.30Mhz时的β=5,fT就是150Mhz.低于5 就不合格.

假设电容的充放电都是符合指数规律的.充电时单结晶体管截止,电容不放电,可计算出电容电压到达单结晶体管峰值电压所需要的时间;电容放电速度快,可以只考虑RC放电回路的放电时间,电容电压到达单结晶体管的谷底电压时放电结束.两个时间相加就是一个周期.

这篇文章到这里就已经结束了，希望对哥哥们有所帮助。